Цены на DRAM и NAND продолжат рост в четвёртом квартале 2026 года

Данные по состоянию на 1 октября 2026 года.

Рынок микросхем памяти вступает в четвёртый квартал 2026 года в условиях сохраняющегося дефицита. По оценке TrendForce (30 сентября 2026 года), контрактные цены на стандартную (conventional) DRAM вырастут на 10–15% к третьему кварталу, а на NAND Flash — на 15–20%. Производители продолжают переводить мощности передовых техпроцессов на серверные продукты, поэтому баланс остаётся напряжённым, хотя рост цен постепенно замедляется.

Enterprise SSD — единственная категория с ускорением роста цен

Наиболее заметное расхождение наблюдается внутри сегмента NAND Flash. По данным TrendForce, битовая потребность в корпоративных SSD (Enterprise SSD) в 2026 году вырастет более чем на 80% год к году. Драйвер спроса смещается от обучения больших языковых моделей к промышленному развёртыванию систем искусственного интеллекта: массовое внедрение агентных решений (agentic AI) многократно увеличивает объём данных, требующих поиска в реальном времени и кэширования, а применение памяти QLC в векторных базах данных растёт. Существенная часть прироста производства уже законтрактована, поэтому объём на открытом рынке ограничен. Корпоративные SSD становятся единственной категорией, где рост цен в четвёртом квартале ускоряется; в сегментах PC DRAM, mobile DRAM, клиентских SSD и eMMC/UFS динамика сдержаннее из-за слабого потребительского спроса.

Расширение мощностей не снимет дефицит раньше 2027 года

Производители наращивают выпуск, но новые мощности не успевают за спросом. По сообщению тайваньского издания Commercial Times (28 сентября 2026 года), Samsung переводит линии NAND на заводе в Сиане со 128-слойной V6 на 236-слойную V8 и осваивает процесс V9 на 286 слоёв; Kioxia и SanDisk с июля 2026 года выпускают 3D NAND десятого поколения на заводе K2; SK hynix и Solidigm перезапускают вторую очередь завода в Даляне и нацелены на серийный выпуск в первом полугодии 2027 года с приростом около 50 тыс. пластин в месяц. Заметный объём новые площадки Samsung (P4), SK hynix (M15X и кластер в Йонъине), Micron (завод в Бойсе, середина 2027 года) и Nanya (Fab 5A, второе полугодие 2027 года) начнут давать в основном во втором полугодии 2027 года и позднее.

Китайские производители также расширяют выпуск. ChangXin Memory Technologies (CXMT) в сентябре 2026 года объявила о начале серийного производства DRAM на пятой технологической платформе (G5) и о выпуске 24 Гбит LPDDR5X; по оценке TrendForce, во втором квартале 2026 года её доля в выручке мирового рынка DRAM составила 9,5%. Yangtze Memory Technologies (YMTC) расширяет выпуск NAND в Ухане: третий завод планируется запустить к концу 2026 года с наращиванием в 2027 году. Тем не менее, по оценке Commercial Times, основная часть нового предложения поступит не раньше второго полугодия 2027 года, а крупные новые фабрики — после 2028 года.

Что это значит для закупок

Для закупок следуют четыре вывода. Во-первых, на снижение цен в ближайшие кварталы рассчитывать не следует: новое предложение выйдет на рынок не раньше 2027–2028 годов. Во-вторых, объёмы и цены целесообразно фиксировать на длительный срок: контракты на первый квартал 2027 года уже заключаются, а долгосрочные соглашения (LTA) резервируют мощности и сокращают объём для разовых заказов. В-третьих, для платформ предыдущих поколений (DDR4) запас следует формировать заранее: производители постепенно сворачивают выпуск этой памяти. В-четвёртых, практическим инструментом остаются альтернативные источники — складские остатки дистрибьюторов, аналоги и вторичный рынок.

New FoxHong Group Co., Ltd (NFH) — компания, предоставляющая услуги дистрибуции электронных компонентов и модулей на международном рынке. По вопросам поставки и подбора аналогов обращайтесь по адресу электронной почты sales@foxhong.cn.