Новости
Первая неделя октября принесла рынку микросхем памяти два разнонаправленных сигнала: сообщение о новом повышении контрактных цен на DRAM и оценку того, что структурный дефицит обычной памяти сохранится из-за приоритета HBM и серверных продуктов.
Тайваньский производитель Nanya Technology, по сообщению издания Economic Daily News от 7 октября 2026 года, уведомил клиентов о новом повышении контрактных цен на DRAM — в отдельных случаях до 20%. Компания не комментирует ценообразование для клиентов, поэтому сведения опираются на отраслевые источники издания, а не на официальное объявление производителя.
Шаг расходится с ожиданиями, что расширение китайских мощностей улучшит баланс спроса и предложения. По оценке TrendForce (Тайвань, 30 сентября 2026 года), в четвёртом квартале контрактные цены на обычную DRAM вырастут на 10–15% к третьему кварталу, на NAND Flash — на 15–20%, а корпоративные SSD остаются единственной категорией с ускорением роста: 23–28%. Разница объясняется тем, что агрегированный прогноз учитывает условия долгосрочных соглашений, тогда как часть поставщиков объявляет о более высоких повышениях для отдельных клиентов.

8 октября Counterpoint Research (Гонконг, Китай) опубликовала оценку, согласно которой шестое поколение памяти с высокой пропускной способностью для ускорителя Rubin сохраняет преимущественно 12-слойную конфигурацию, а опасения о снижении спроса на память из-за уменьшения числа слоёв не подтверждаются. По данным той же компании, выпуск HBM требует более чем втрое больших мощностей, чем производство обычной DRAM.
Для закупок это означает, что перераспределение мощностей в пользу HBM и серверных продуктов продолжит влиять на доступность потребительских позиций и модулей DDR5: расширение выпуска HBM ограничивает предложение обычной памяти и поддерживает цены на неё.
Китайские производители продолжают расширение. По данным MoneyDJ (Тайвань, 5 октября 2026 года), ChangXin Memory Technologies (CXMT) располагает мощностью около 300–320 тыс. пластин DRAM в месяц с планом выхода на 420 тыс. в 2027 году, а её доля в выручке мирового рынка DRAM выросла с 7,6% в первом квартале до 9,5% во втором (данные Counterpoint Research). Инвестиционная программа компании составляет 349 млрд юаней, из которых 224 млрд направлены на закупку оборудования.
Объём запускаемых пластин, однако, не равен объёму доступного предложения. При мощностях, сопоставимых с Micron, выручка CXMT примерно в пять раз ниже; помимо различий в продуктовой линейке и ценах, решающую роль играет выход годных. Для новых техпроцессов серийное производство обычно начинается при выходе годных выше 85%, тогда как зрелые продукты достигают 98–99%. Компания эти показатели не публикует, поэтому скорость их улучшения остаётся главным неизвестным в оценке того, насколько быстро новые мощности превратятся в рыночное предложение.

Для заказчиков промышленной электроники, телекоммуникационного оборудования и серверной инфраструктуры вывод на четвёртый квартал 2026 года остаётся прежним. Предложение обычной DRAM и корпоративных NVMe SSD ограничено, корпоративный сегмент дорожает быстрее потребительского, а объёмы по долгосрочным соглашениям сокращают свободный остаток на рынке.
Практические меры: фиксировать объёмы и цены на более длительный срок, заранее формировать запас по позициям с продлёнными сроками поставки и проверять совместимость аналогов для модулей DDR5 RDIMM и SSD требуемой ёмкости.
New FoxHong Group Co., Ltd (NFH) — компания, предоставляющая услуги дистрибуции электронных компонентов и модулей на международном рынке. По вопросам поставки и подбора аналогов обращайтесь через форму обратной связи на сайте.
sales@foxhong.cn
New FoxHong Group Co., Ltd (NFH) — компания, предоставляющая услуги дистрибуции электронных компонентов и модулей на международном рынке. По вопросам поставки и подбора аналогов обращайтесь по адресу электронной почты sales@foxhong.cn.
Copyright © New FoxHong Trading Co., Ltd Все права защищены Техническая поддержка: WZTX Управление сайтом
Тел. +86-755-88600986
Почта:sales@foxhong.cn
New FoxHong Trading Co., Ltd
Адрес:
Центр Хань, Шэньчжэньская южная дорога, район Футянь, Шэньчжэнь